一站式全流程服务
2024年初第一次tape out后
每年组织2次shuttle
3个月内完成tape out to wafer out：制版约7天，流片约105天
支持28nm HPC+的所有
Device/Metal Option
CMOS 特性符合UMC L28 HPC+标准
RRAM器件特性优于业界标准
操作原始bits率>99.9%
endurance>10万次
retention>85℃ 、10年
可满足各种流片面积需求
最小流片面积3mm2
提供60颗裸die
CMOS+RRAM流片服务
RRAM简介
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厦门半导体工业技术研发有限公司
Xiamen Industrial Technology Research Institute Co.,Ltd.
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